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紫外无掩膜光刻机

  • 格物光学的紫外无掩膜光刻机BEAM可以随意进行纳米图案化,而无需缓慢且昂贵的光刻掩模。这种便捷操作有利于研究和快速原型制作。格物光学在保持原有性能的前提下,将其小型桌面化让用户使用更便捷,成本更低。



    工作模式光束引擎将紫外激光束聚焦到衍射极限点并扫描该 点以暴露光刻胶上的任意图案。为了曝光大晶片, 精密步进器移动晶片并允许缝合多次曝光。光束引 擎具有能够在最大 6 英寸晶圆上产生小于 (CD) 0.8µm  的特征。



    产品优势

    1.袖珍

    紫外无掩模光刻机:BEAM比台式电脑还小,性价比高。系统各个部分模

    块化,可自由组合配置,为用户带来更灵活更实惠的最优选择。



    2.强大

    拥有亚微米分辨率,在不到两秒的时间内完成一个曝光图案的写入。


    3.超快自动对焦

    当与我们的闭环聚焦光学器件结合使用时,压电执行器在不到一秒的

    内达到聚焦。


    4.毫不费力多层对齐

    半自动对齐允许在几分钟内完成多层对齐。

    格物紫外无掩膜光刻机BEAM优势图.jpg

    随附的软件可以快速完成任何图案工作;只需加载、对齐和曝光。导航类似于CNC系统。

    在多层曝光期间, GDS图案被覆盖以进行可视化。 控制GUI(左窗口)有一个加载的GDS的小地图,允许通过一键导航到晶圆上的任何区域。




    • 产品规格参数与手册

    • 产品手册:    

    • 型号/参数BEAM Lite
      BEAM
      BEAM XL
        分辨率10x = 1.5 μm,5x = 3 μm0.8 μm0.8 μm
        最大样本尺寸5"
      5"6"
        样品基片厚度0.1mm ~ 8mm
        直写模式矢量或光栅模式
        激光波长405 nm, 375 nm (可选)
        自动对焦基于压电自动对焦
        图像灰度等级根据要求
        对齐上层对齐上层对齐上层或下层对齐
        XY轴对齐分辨率< 1 μm
        XY载物台重复性 (1σ)0.1 μm
        Z轴分辨率10 nm10 nm10 nm
        写入速度 (mm2/min)10x = 20,5x = 8055
        最大写入字段10x = 800 μm
      5x = 1600 μm
      400 μm400 μm
        光刻面积106 mm x 106 mm150 mm  x 150 mm
        支持文件格式BMP, PNG, TIFF, GDS
        整机尺寸(W x D x H) mm330 x 310 x 340330 x 310 x 340370 x 360 x 340
        整机重量20 kg20 kg30 kg
        适配笔记本电脑可选包含
        软件含BEAM Lite软件含BEAM软件
        工作环境a) 不需要特定的环境条件或洁净室。
      b) 除振动外,温度应为 35℃(± 3℃ 或 ±4℃),湿度应小于 70 %。




    样品实例

    格物紫外无掩膜光刻机BEAM样品实1例.jpg

    格物紫外无掩膜光刻机BEAM样品实2例.jpg

    格物紫外无掩膜光刻机BEAM样品实3例.jpg

    硅衬底上的抗蚀剂微图案阵列。 每个单元为 

    50 × 63 µm,相邻图案之间的间距为 3 µm。 

    使用的抗蚀剂:  AZ5214E

    0.8 µm 锥形中间部分,侧面有 20 ✕ 90 µm 接触垫。 

    使用的抗蚀剂:AZ5214E


    开环谐振器阵列。右侧的分离距离为1.5µm (箭头),

    左侧的分离距离为 2 µm。 外圈直径为 80 µm。



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