硫系光纤是以硫族元素（硫S、硒Se、碲Te）为主要基质，由硫系玻璃在软化温度附近拉制而成的红外玻璃光纤。其透过波段覆盖范围较广，以S为基质的光纤透过波段为1～6 μm，以Se为基质的为1.5～9 μm，以Te为基质的为2～12 μm。硫系光纤可用于红外信号和激光传输、气体/生物/化学分子传感、超连续光谱的产生等红外光学和非线性光学领域。先进的拉丝工艺以及聚合物双涂层工艺为硫系光纤提供优越机械强度和高灵活性。在1.1 - 6.5μm光谱范围内，由于较低光损和较小吸收峰使得硫系光纤被广泛运用。
产品手册:
- 工作温度：–273 ℃ ~ +90 ℃
- 光谱范围：1.5-6.5 µm(硫化物), 2-9 µm (硒化物), 3-11.5 µm (碲化物)
- 传输损耗：<0.2 dB/m @低损耗波段
- 数值孔径： 0.12-0.56可定制
- 丝径均匀性：≤0.5%
- 最小弯曲半径：光纤直径×100
- 光纤抗拉强度：>100 MPa
- 可定制矩形芯、凸形芯、悬吊芯、中空多芯等特种结构光纤
- 可定制超大模场（直径≥100 µm）光子晶体光纤
- 可定制光纤合束器
- 中红外光谱
- QCL激光器传能
- 灵活红外成像系统
- 灵活辐射线测定
- 远程非接触式红外测温，200 - 600k范围
光传输曲线
光纤损耗谱
红外硫系光纤产品分类
分类
材料代码
纤芯直径/包层直径/涂敷层直径
波长范围
数值孔径NA
损耗
单模中波红外硫系光纤
MIRF-12-112-0.19
12/112/120μm
1-6.5μm
0.19
0.4 dB/m@ 4.6μm
MIRF-20-186-0.19
20/186/200μm
0.3 dB/m@ 4.6μm
MIRF-6-140-0.21
6/140/160μm
0.21
<0.8 dB/m@ 2.1μm
MIRF-10-230-0.21
10/230/264μm
0.21@4.6μm
<0.4 dB/m@ 2.1μm
MIRF-5-115-0.38
5/115/132μm
0.38
MIRF-8-184-0.38
8/184/212μm
多模中波红外硫系光纤
MIRF-95-118-0.15
95/118/130μm
0.15
<0.5 dB/m@ 2.1μm
MIRF-100-125-0.15
100/125/140μm
MIRF-66-125-0.21
66/125/138μm
0.25~0.3 dB/m@ 2.1μm&4.6μm
MIRF-100-125-0.21
0.3~0.4 dB/m@ 4.6μm
MIRF-100-190-0.21
100/190/210μm
MIRF-150-285-0.21
150/285/315μm
MIRF-200-250-0.21
200/250/280μm
MIRF-320-400-0.21
320/400/420μm
1.5-6.5μm
MIRF-100-125-140-0.38
0.5~0.6 dB/m@ 2.1μm
MIRF-200-250-0.38
200/250/270μm
0.2 dB/m@ 4.6μm
MIRF-200-250-270-0.38
MIRF-300-375-410-0.38
300/375/410μm
MIRF-300-375-0.38
300μm/375/420μm
MIRF-400-500-550-0.38
400/500/550μm
INFG-110-200-0.2
110/200/240μm
0.4-5.5μm
0.2
<0.1db/m@2.1μm
ZFG-110-200-0.2
0.3-4.5μm
LIRF-130-164-0.12
130/164μm/180μm
3-11μm
0.12
<0.8 dB/m@ 8.4μm
LIRF-150-190-0.24
150/190/210μm
0.24
0.5-0.6 dB/m@8.34μm
LIRF-200-250-0.15
<0.8 dB/m@ 9.3μm
LIRF-200-250-0.24
MIRF-30-280-0.19
30/280/300μm
MLF-190
190μm
1.5-9μm
0.7 dB/m@2.1μm
- 面-面、线-面转换红外光纤传像束
- 最大单丝数量≥100万，最小单丝直径≤15 μm，最大填充系数≥ 70%
- 分辨率≥20 lp/mm，断丝率≤0.5%
- 单丝截面形状可定制（圆形、方形等）
波长范围 1-6.5μm
波长范围 0.3-6.5um
波长范围 3-11μm
波长范围 1.5-9μm
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